<511>晶向GaAs单晶主次参考面的确定

• 作者: 佟丽英 史继祥 杨春明 王春梅 王聪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓单晶 微观图形 参考面
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 793-795
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 1522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.016

摘要

在半导体照明工程中采用<511>晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件.根据<511>晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照.共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置.单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨春明	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	8	2.0	2.0
2	佟丽英	中国电子科技集团公司第四十六研究所	19	22	3.0	3.0
3	史继祥	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	5	2.0	2.0
4	王聪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	97	6.0	9.0
5	王春梅	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	3	1.0	1.0