LiTaO3晶片CMP过程的化学去除机理研究

• 作者: 杜宏伟 林悦香 江景涛 潘志国 魏昕
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 钽酸锂 化学机械抛光 化学腐蚀 抛光液
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 242-244
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.016

摘要

通过化学腐蚀方法研究了liTaO3(LT)晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理,研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律,获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的氧化剂和稳定剂.采用X衍射测量抛光表面的结构变化,分析了晶片表面在不同抛光液条件下发生的变化.研究结果为优化LiTaO3 CMP工艺参数,进一步探讨化学机械抛光机理提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	江景涛	青岛农业大学机电工程学院	17	90	5.0	9.0
2	魏昕	广东工业大学机电工程学院	111	782	15.0	22.0
3	潘志国	青岛农业大学机电工程学院	20	62	5.0	6.0
4	杜宏伟	青岛农业大学机电工程学院	18	128	4.0	11.0
5	林悦香	青岛农业大学机电工程学院	12	56	3.0	7.0