MOCVD侧向外延生长GaN的研究

• 作者: 刘宝林 朱丽虹 李晓莹
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 低压金属有机化学气相沉积 氮化镓 侧向外延生长 原子力显微镜 扫描电子显微镜 拉曼散射谱
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 微机械加工技术
• 页码范围: 48-52
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3805字
• 语种: 中文

摘要

在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究.SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低.ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高.ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0
2	朱丽虹	厦门大学物理系	8	26	3.0	5.0
3	李晓莹	厦门大学物理系	4	10	1.0	3.0