抛光垫使用期对300 mm Si片Haze值影响研究

• 作者: 库黎明 张国栋 盛方毓 索思卓 葛钟 阎志瑞 陈海滨 黄军辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 精抛光 抛光垫 化学机械抛光 haze
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1084-1087
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.12.010

摘要

抛光垫是化学机械抛光(CMP)过程中重要的消耗材料之一.由于抛光垫与Si片直接接触,所以抛光垫的物理特性会直接影响到所加工Si片品质的优劣.通过研究不同使用时间的抛光垫结构以及所抛光Si片表面haze值,发现抛光Si片表面haze值在抛光垫使用前期逐渐减小,中期稳定缓慢升高,后期快速升高.从理论上系统地对结果进行了分析,充分证实了在CMP过程中,保持抛光垫特性的稳定对Si片表面质量具有非常重要的意义.