MLCC击穿原因浅析

• 作者: 孙飞 林增健 桂迪
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 电压击穿 电流击穿 电场畸变 片式多层陶瓷电容器
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 可靠性
• 页码范围: 65-67
• 页数: 3页
• 分类号: TM28
• 字数: 2345字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.07.020

摘要

从MLCC 内部结构入手,分析了造成其电场畸变和电流分布不均匀的原因.运用有介质时的高斯定理,论证了在某些位置上非均匀电场强度要大于均匀电场强度.在MLCC内电极当中,处于最外边的上、下两个电极层所承受的电流相对较小,越靠近外电极,内电极层流过的电流越大.在此基础上,提出了在MLCC内部容易出现电压击穿和电流击穿的部位.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	桂迪		2	12	2.0	2.0
2	孙飞		2	12	2.0	2.0
3	林增健		2	12	2.0	2.0