非掺杂LEC砷化镓晶体中砷沉淀和位错关联性质

• 作者: 卜俊鹏 惠峰 曾一平 朱蓉辉 赵冀 郑红军 高永亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 LEC 砷沉淀 微缺陷 位错分布
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1779-1782
• 页数: 4页
• 分类号: TM23
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.09.026

摘要

通过使用激光散射扫描的方法,定性地研究非掺杂半绝缘LEC砷化镓(100)方向生产的晶体中砷沉淀在晶体径向截面分布,得到了在一种特定热场中生长的晶体中存在4个砷沉淀的聚集中心结论,而这4个聚集中心却正好是晶体上位错密度相对较低的区域.作者主要研究了这种分布和位错之间的关系,分析其形成过程,并得出在晶体生长及后期退火过程中,位错在晶体中起到了输送砷原子的管道作用,加速了砷原子在晶体中的扩散过程,导致网格位错密集区的大直径砷沉淀的密度相对位错稀疏区和位错线区的砷沉淀密度较低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所材料研究中心	85	439	11.0	16.0
2	郑红军	中国科学院半导体研究所材料研究中心	6	50	3.0	6.0
3	卜俊鹏	中国科学院半导体研究所材料研究中心	5	47	3.0	5.0
4	高永亮	中国科学院半导体研究所材料研究中心	4	9	2.0	3.0
5	惠峰	中国科学院半导体研究所材料研究中心	5	27	3.0	5.0
6	赵冀	中国科学院半导体研究所材料研究中心	3	20	1.0	3.0
7	朱蓉辉	中国科学院半导体研究所材料研究中心	3	20	1.0	3.0