两种低压高速BiCMOS开关电流存储器

• 作者: 伊廷荣 成立 植万江 王振宇 王玲 范汉华
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: BiCMOS器件 开关电流存储电路 低压 高速度
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 613-616
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 字数: 2906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.07.017

摘要

为了提高数字通信电路的速度,设计了两种BiCMOS开关电流存储器.设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),但在电路的主体部分则设置MOS器件.推导出了存储电路的传输延迟时间估算式,优选了元器件参数,并采取了提速措施.进行了仿真试验和硬件电路实验.结果表明,所设计的两种开关电流存储器在低电源电压(VDD)为2.6～4.0V时,综合性能指标--时延-功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18.8pJ,特别适用于低压高速数字通信系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王玲	江苏大学电气与信息工程学院	22	88	5.0	9.0
2	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
3	王振宇	江苏大学电气与信息工程学院	81	628	15.0	21.0
4	植万江	江苏大学电气与信息工程学院	10	15	2.0	3.0
5	范汉华	江苏大学电气与信息工程学院	9	14	2.0	3.0
6	伊廷荣	江苏大学电气与信息工程学院	9	14	2.0	3.0