粉末溅射制备N-In共掺p型ZnO薄膜

• 作者: 南貌 孔春阳 秦国平 阮海波
• 来源期刊: 重庆师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: N-In共掺杂 离子注入 p型ZnO 透射谱
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 108-110,124
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN304.2+2
• 字数: 2692字
• 语种: 中文

摘要

在石英玻璃衬底上以ZnO∶ In2O3粉末为靶材,采用射频磁控溅射法制备出具有良好c轴择优取向的ZnO∶ In薄膜,继而对样品进行二次N离子注入掺杂,成功实现N-In共掺p型ZnO薄膜.借助XRD、Hall测试、XPS和透射谱测试手段研究分析了共掺ZnO薄膜的晶体结构、电学和光学性质.结果表明制备的薄膜具有较高的结晶质量和较好的电学性能,其空穴浓度、迁移率和电阻率分别达到4.04×1018 cm-3、1.35 cm2V-1s-1和1.15 Ωcm.X光电子能谱(XPS)分析显示在p型ZnO薄膜里存在N-In键和N-Zn键,表明In掺杂可以促进N在ZnO薄膜的固溶,有利于N元素在ZnO薄膜内形成受主能级.另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内有很高的透射率,最高可达90%.其常温下的禁带宽度为3.2 eV,相对本征ZnO的禁带宽度略有减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孔春阳	重庆师范大学物理与信息技术学院	28	226	7.0	14.0
2	秦国平	重庆师范大学物理与信息技术学院	8	40	3.0	6.0
3	南貌	重庆师范大学物理与信息技术学院	4	34	2.0	4.0
4	阮海波	重庆师范大学物理与信息技术学院	4	34	2.0	4.0