ITO薄膜的磁控溅射工艺优化研究

• 作者: 孙凯 常天海
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: ITO 光电性能 磁控溅射 工艺优化 XPS
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 324-327
• 页数: 4页
• 分类号: TB43
• 字数: 3021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2009.03.21

摘要

通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响.实验结果表明:当基底加热温度为295℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8%即主要工艺参数皆位于最佳范围时,在厚度为5mm的普通浮法玻璃基底上,可制备出表面电阻为18Ω、可见光透过率超过80%的ITO薄膜.XPS测试结果表明:该ITO薄膜的内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85%左右.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	常天海	华南理工大学电子与信息工程学院	67	317	10.0	14.0
2	孙凯		3	20	2.0	3.0