300 nm厚Cu膜的表面分形特征与电学性能

• 作者: 周珺
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铜膜 表面形貌 电学性能 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 146-149
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.92
• 字数: 3205字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.02.011

摘要

用磁控溅射工艺在不同的沉积温度下生长300 nm厚Cu膜.用原子力显微镜(AFM)获取薄膜表面形貌,并基于分形理论定量表征;用四点探针电阻测试仪测定薄膜电阻率.结果表明,Cu膜表面分形维数(Df)及电阻率(D)与沉积温度(T,)密切相关.随着 T,升高,Df与ρ均经历了先减小再增加的过程,在Ts<373 K时,表面扩散导致薄膜表面平滑,而当Ts>373 K时,晶粒长大诱导表面形貌复杂化;当Ts<673 K时,ρ随着Ts的增加而不断减小,而当Ts>673 K时,晶粒异常长大导致其几何形态和分布方式改变,ρ反常增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周珺	兰州交通大学数理学院	28	60	4.0	6.0