HfO2薄膜生长应力演化研究

• 作者: 方明 沈雪峰 范正修 邵建达 邵淑英
• 来源期刊: 光学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜 应力实时测量 HfO2薄膜 生长应力
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 1734-1739
• 页数: 6页
• 分类号: O484.1
• 字数: 3560字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS20092906.1734

摘要

薄膜应力的存在是薄膜材料的本征特性,对过程中薄膜应力的测量与精确控制具有重要意义.搭建了基于双光束偏转基底曲率测量装置,再结合薄膜厚度的实时监控,实现了对薄膜应力演化过程的观测.对HfO2薄膜的生长过程做了实时研究.结果显示,在所研究条件下,HfO2薄膜的生长应力随厚度的增加,在360～660 MPa范围内变化;沉积温度越高,沉积真空度越高,张应力越大;在真空度较高的沉积条件下,薄膜应力强烈地受到基底表面的影响,随着薄膜厚度的增加,应力也趋于稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邵建达	中国科学院上海光学精密机械研究所	212	2131	21.0	29.0
2	方明	中国科学院上海光学精密机械研究所	23	170	8.0	12.0
6	范正修	中国科学院上海光学精密机械研究所	203	2312	23.0	32.0
7	邵淑英	中国科学院上海光学精密机械研究所	18	309	9.0	17.0
8	沈雪峰	中国科学院上海光学精密机械研究所	1	8	1.0	1.0