Sb掺杂Sn2S3薄膜的表征及电学特性

• 作者: 卢建丽 李健 柴燕华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 真空蒸发 热处理 Sn2S3薄膜 Sb掺杂 电学特性
• 年，卷（期）: 2011,（1）
• 页码范围: 89-94
• 分类号: O484
• 字数: 4230字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.01.18

摘要

真空蒸发制备Sb掺杂Sn2S3多晶薄膜.研究不同比例Sb掺杂对Sn2S3薄膜的电学、结 构、表面形貌、化学组分的影响,实验给出掺Sb5%薄膜经380℃热处理30 min可获得结构良好正交晶系的Sn2S3∶Sb多晶薄膜,薄膜的电阻率从未掺杂时的79 kΩ·cm降到23.7 Ω·cm,下降了三个数量级.Sn2S3薄膜表面为颗粒状,体内化学计量比Sn/S为1∶1.49, 与标准计 量比非常接近;掺Sb(5%)后为1∶0.543,Sn过量.Sn和S以Sn2+,Sn4+,S2-形式存在于薄膜中;Sb元素显示正5价,部分Sb5+进入晶格替位Sn4+.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢建丽	内蒙古大学物理科学与技术学院	3	11	2.0	3.0
2	柴燕华	内蒙古大学物理科学与技术学院	2	8	2.0	2.0
3	李健	内蒙古高等学校半导体光伏技术重点实验室	1	5	1.0	1.0