密闭式热场下<111>晶向Si单晶高晶转生长研究

• 作者: 刘锋 吴磊 周传月 李丹 王世援 莫宇 韩焕鹏
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶 <111>晶向 直拉法 高晶转 密闭式热场
• 年，卷（期）: 2011,（2）
• 页码范围: 136-139
• 分类号: TN304.12|TN304.053
• 字数: 2417字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2011.02.011

摘要

在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23 ～25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了椎76.2～125 mm、n型高阻<111>晶向Si 单晶, 单晶的外形和径向电阻率均匀性良好.对<111>晶向Si 单晶在高晶转下生长容易出现扭曲变形、棱面较宽现象的原因进行了分析.通过添加热屏,加强热场的保温和热屏的隔热作用,及缩小等径生长阶段熔Si液面与热屏间的距离,提高了晶体结晶前沿的温度梯度.从而避免了<111>晶向Si单晶的扭曲变形,减小了单晶棱面宽度, 同时有利于消除晶体的漩涡缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0
2	刘锋	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	20	3.0	3.0
3	李丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	44	3.0	5.0
4	莫宇	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	11	2.0	3.0
5	王世援	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	9	2.0	3.0
6	吴磊	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	10	2.0	3.0
7	周传月	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	10	2.0	3.0