C2H2流量对SiCN 薄膜结构及阻挡性能的影响

• 作者: 周继承 张治超 彭银桥
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: 射频磁控溅射 SiCN C2H2 结构 阻挡性能
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 272-277
• 分类号: O469|O613.7|TN305.92
• 字数: 3835字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2011.03.05

摘要

采用C2H2和N2作为反应气体、多晶Si作为靶材,利用射频磁控溅射系统沉积了SiCN薄膜.利用傅里叶红外光谱仪、X射线衍射仪、四探针测试仪等研究了C2H2流量对薄膜结构、介电常数以及阻挡性能的影响.结果表明,薄膜为非晶结构,1000℃退火下未出现结晶,稳定性很好;随着C2H2流量的增大,薄膜表面颗粒呈现增大趋势;C原子取代Si原子占据薄膜中的网络位置,薄膜形成了以C-N键为主的网络结构;制得的SiCN薄膜介电常数在4.2～5.8之间,C,N含量以及薄膜结构是影响介电性能的关键因素,高温使得Cu穿过薄膜中的缺陷与Si发生互扩散是薄膜阻挡性能失效的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周继承		96	780	15.0	21.0
2	彭银桥		4	132	3.0	4.0
3	张治超		1	2	1.0	1.0