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一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源
一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源
作者:
丁大胜
徐世六
李思颖
汤洁
王永禄
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
带隙基准源
分段曲率补偿
温度系数
电源抑制比
摘要:
设计了一种针对基准电压输出非线性的分段温度补偿电压基准源.该电路在基准源工作的低温和高温阶段对输出进行温度补偿,实现低温度系数.利用高增益的两级运算放大器以及增加PMOS管的栅长来提高电路的电源抑制比(PSRR).在-55℃~125℃范围内,温度系数为2.9×10-6/℃,低频电源抑制比为-71 dB.
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温度系数
内容分析
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文献信息
篇名
一种分段温度补偿BiCMOS带隙基准源
来源期刊
微电子学
学科
工学
关键词
带隙基准源
分段曲率补偿
温度系数
电源抑制比
年,卷(期)
2012,(3)
所属期刊栏目
电路与系统设计
研究方向
页码范围
340-343
页数
分类号
TN431.1
字数
2530字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-3365.2012.03.011
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
徐世六
15
99
6.0
9.0
2
王永禄
20
87
6.0
8.0
3
李思颖
4
25
4.0
4.0
7
汤洁
4
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11
丁大胜
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带隙基准源
分段曲率补偿
温度系数
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
主办单位:
四川固体电路研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1004-3365
CN:
50-1090/TN
开本:
大16开
出版地:
重庆市南坪花园路14号24所
邮发代号:
创刊时间:
1971
语种:
chi
出版文献量(篇)
3955
总下载数(次)
20
总被引数(次)
21140
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