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Highly controllable ICP etching of GaAs based materials for grating fabrication
Highly controllable ICP etching of GaAs based materials for grating fabrication
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摘要：
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利用SiCl4/Ar/H2气体ICP干法刻蚀GaAs材料
GaAs
干法刻蚀
电感耦合等离子体
SiCl4
光滑表面
Assessment of bacterial biomass in the highly contaminated urban Nanming River, Guiyang, SW China
δ13C
δ15N
Bacterial biomass
N budget
Nanming River
Iron isotopic analyses of geological reference materials on MCICP-MS with instrumental mass bias cor
Iron isotopic analyses
Sample-standard bracketing
Double spike
Ni doping
Reference materials
Precision and accuracy
GaAs非本征吸收
非本征吸收
光生载流子
光激发
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半导体学报(英文版)
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
开本：
大16开
出版地：
北京912信箱
邮发代号：
2-184
创刊时间：
1980
语种：
eng
出版文献量（篇）
6983
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