掺碳氧化铟薄膜的铁磁性研究

• 作者: 刘银春 吕灵燕 吴义炳 阮凯斌
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 稀磁半导体 掺碳氧化铟 铁磁性 薄膜
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 33-35,39
• 分类号: TN304
• 字数: 3437字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2012.02.010

摘要

采用磁控溅射法在Si(100)村底上制备了掺碳氧化铟(In2O3:C)薄膜,溅射过程分别在衬底温度为室温和550℃的条件下进行.通过测试所制In2O3:C薄膜的XRD谱和磁化曲线,研究了In2O3:C薄膜的结构和铁磁性能,并探讨了其铁磁性的起源.结果显示,随着含碳量的增加,In2O3:C薄膜的饱和磁化强度先增大后减小；此外,氧空位缺陷浓度高的样品其铁磁性也更强,这表明氧空位缺陷与In2O3:C薄膜的铁磁性起源有直接的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴义炳	福建农林大学机电工程学院	24	49	3.0	6.0
2	刘银春	福建农林大学机电工程学院	55	216	8.0	12.0
3	阮凯斌	福建农林大学机电工程学院	17	32	3.0	4.0
7	吕灵燕	福建农林大学机电工程学院	7	6	1.0	2.0