半桥驱动芯片中LDMOS的设计仿真

• 作者: 付云莹 张国俊
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半桥驱动芯片 双层浮空场板 LDMOS 仿真
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 2752字
• 语种: 中文

摘要

借助工艺和器件仿真软件,对一种用于功率MOSFET和IGBT栅极驱动的半桥驱动芯片中的横向高压功率器件LDMOS进行了设计与仿真.该器件采用了双RESURF技术及双层浮空场板结构,通过对双层浮空场板层之间的距离以及双RESURF结构的ptop层的长度和浓度的优化设计,利用传统的Bi-CMOS工艺获得击穿电压689V和比导通电阻273×10-3Ω·cm2的LDMOS.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张国俊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	57	231	8.0	11.0
2	付云莹	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	3	1.0	1.0