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摘要:
设计了一种中心吸收频率可调的太赫兹波吸收器.在开口谐振环外侧的两个开口处填充光电半导体硅材料,通过外加光照强度可以控制半导体硅的电导率,从而实现对吸收器中心吸收频率点的灵活调节.计算结果表明,该吸收器不但可以实现中心吸收频率点大范围的调节(从0.750 THz到1.309 THz,调谐范围高达0.559 THz),而且可以实现小范围的微调(从1.312 THz到1.320 THz,调谐范围为8GHz).
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文献信息
篇名 一种光可调太赫兹波吸收器的设计
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 太赫兹波 等效电路 吸收器 开口谐振环 光可调 吸收率
年,卷(期) 2013,(7) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 34-36,53
页数 4页 分类号 TN91
字数 2575字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2013.07.009
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李九生 中国计量学院信息工程学院 55 232 9.0 13.0
2 程伟 中国计量学院信息工程学院 6 22 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
太赫兹波
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电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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