应用于TD-LTE的SiGe BiCMOS功率放大器的设计

• 作者: 张世林 李慧超 李杨阳 毛陆虹 谢生
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe BiCMOS TD-LTE 功率放大器
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 424-429
• 分类号: TN431
• 语种: 中文

摘要

针对准第四代无线通信技术TD-LTE中2.570～2.620 GHz频段的应用,设计了一款基于IBM SiGe BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器.该功率放大器工作于AB类,采用单端结构,由两级共发射极电路级联构成,带有基极镇流电阻,除两个谐振电感采用片外元件外,其他全部元件均片上集成,芯片面积为(1.004×0.736)mm2.测试结果表明,在3.3 V电源电压下,电路总消耗电流为109 mA,放大器的功率增益为16dB,输出1 dB增益压缩点为15 dBm.该驱动放大器具有良好的输入匹配,工作稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛陆虹	天津大学电子信息工程学院	165	736	12.0	20.0
2	张世林	天津大学电子信息工程学院	109	334	8.0	11.0
3	谢生	天津大学电子信息工程学院	68	232	7.0	11.0
4	李杨阳	天津大学电子信息工程学院	2	7	1.0	2.0
5	李慧超	天津大学电子信息工程学院	1	0	0.0	0.0