功率VDMOS热阻的温度系数特性研究

• 作者: 王立新 董晨曦
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 热阻 温度系数 电学法 PN结
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体器件与工艺
• 页码范围: 110-114
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文

摘要

对功率VDMOS源漏间寄生PN结正向结电压VDS随温度变化的特性进行了测量,发现VDS与结温T存在良好的线性关系,通过理论推导进行了分析验证.同时发现,温度系数α=dVDS/ dT与测试电流IF满足指数关系;且VDS-T线性曲线在不同的IF下具有聚焦特性,即在绝对零度时,不同IF下的VDS具有相同的值.经过对试验点的拟合分析,得到新的VDS表达式,很好地解释了VDS-T曲线与IF的关系及其在不同IF下的聚焦特性.该研究有利于实现结温的精确测量,保证热阻测试结果更加准确可靠,为器件的热特性分析提供强有力的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立新	中国科学院微电子研究所	97	1160	17.0	30.0
2	董晨曦	中国科学院微电子研究所	4	26	3.0	4.0