特高压晶闸管p-层穿通和p+层发射极结构设计

• 作者: 张婷婷 李翀 罗艳红 赵卫 高山城 高飞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻断电压 通流能力 通态压降 反向恢复电荷 关断时间
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 752-757
• 分类号: TN34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.10.007

摘要

基于传统晶闸管单扩散p层杂质浓度分布很难协调阻断电压、通流能力、通态压降、反向恢复电荷和关断时间之间的矛盾,无法使特高压晶闸管的通流能力由4 000 A提高到4 500 A.对特高压晶闸管采用低浓度p-层穿透、高浓度p+层发射极结构设计进行了理论分析并进行了工艺实验,测试结果表明,特高压晶闸管在不损失阻断电压(≥8 500 V)前提下,芯片厚度减薄0.05 mm、通态压降下降0.11V,反向恢复电荷、dV/dt耐量、di/ dt耐量、关断时间等得到优化,研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)4 500 A/8 500 V特高压晶闸管,并成功应用于±800 kV/7 200 MW特高压直流输电工程中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高山城		8	3	1.0	1.0
2	罗艳红		4	7	1.0	2.0
3	赵卫		5	1	1.0	1.0
4	张婷婷		5	0	0.0	0.0
5	高飞		5	1	1.0	1.0
6	李翀		6	2	1.0	1.0