通孔内镀金工艺研究

• 作者: 付兴昌 刘相伍 崔玉兴 王川宝
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 大功率芯片 通孔 背面镀金 喷液电镀 通孔电阻
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 438-441
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.06.008

摘要

针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原因.喷液电镀台最佳工艺条件:直流电镀,电流积为15 A·min,电流密度为0.4 A/dm2,镀液体积流量为20 L/min时,对深宽比约为2∶1的通孔样品进行电镀,得到孔内外镀层厚度比接近1∶1的良好电镀效果.实验结果表明:喷液电镀台在晶圆通孔电镀方面有较大优势,可在不增加背面镀金厚度的情况下增加通孔内镀层厚度,不仅解决了芯片通孔内镀金层薄的问题,而且有利于降低成本,是今后通孔电镀工艺发展的方向之一.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	王川宝	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	0	0.0	0.0
4	刘相伍	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	3	1.0	1.0