4H-SiC(0001)硅面原子级平整抛光方法

• 作者: 张淑娟 徐永宽 洪颖 程红娟 高飞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(CMP) 表面粗糙度 原子台阶构型 原子级平整
• 年，卷（期）: 2014,（9）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 610-614
• 分类号: TN305.2|TN304.24
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.09.011

摘要

以4H-SiC (0001)面Si面为加工对象,提出了一种可以快速获得平整、无损伤表面的化学机械抛光方法.先在复合铜、锡盘上对2英寸(1英寸=2.54 cm)的SiC晶片进行机械抛光,去除研磨造成的损伤层和划痕,最后用特殊的抛光液进行化学机械抛光.用微分干涉显微镜和原子力显微镜观察晶片表面形貌的变化,观察结果显示,经3h抛光后晶片的表面粗糙度状况得到了明显的改善,表面没有观察到划痕,表面粗糙度值达到了0.1 nm以下,并且出现规则排列的原子台阶构型,达到了原子级平整.实验研究了抛光液组成对抛光效果的影响,在最优的条件下,化学机械抛光的去除速率约为387 nm/h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
3	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
4	高飞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	4.0
5	张淑娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	9	1.0	1.0