具有反射电极的高亮度LED芯片设计

• 作者: 李晓波 李珅 王静辉 陈才佳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电流阻挡层 Al反射镜 反射电极 化学气相沉积(CVD) 电子束蒸发
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 361-364
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.05.009

摘要

根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片.实验结果表明,该反射电极的反射率比常规电极结构反射率高53.1％,电流阻挡层SiO2可以改进有源区的电流扩展,减小电流堆积效应,而Al作为反射镜可以降低电极对光的吸收,使其发光效率、光强分布、饱和特性曲线和发光角度明显优于常规电极结构.实验采用化学气相沉积(CVD)法配合电子束蒸发制备反射电极,芯片的光功率提高了5.6％,成功制备出高亮度LED芯片.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	8	2.0	2.0
3	陈才佳	中国电子科技集团公司第十三研究所	3	16	2.0	3.0
4	李珅		1	3	1.0	1.0
7	李晓波		4	8	2.0	2.0