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SSOP-20L塑封浇口参数对金线偏移的影响
SSOP-20L塑封浇口参数对金线偏移的影响
作者:
吴恺威
吴文云
周海贝
安静
曹阳根
杨尚磊
莫佳敏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
IC封装
金线偏移
浇口参数
数值模拟
观测方法
摘要:
研究了IC塑封浇注系统对金线偏移的影响,通过数值模拟对金线偏移现象进行理论分析与预测,以金线偏移量最小为标准,对浇口参数进行优化.在模拟优化的基础上设计制造了不同浇口参数的模具镶件,对模拟结果进行实际验证.实验中采用X射线检测技术,提出了一种新的对金线偏移程度观测的方法.结果表明:型腔压力随浇口厚度H的增加而变小,入射角α的变化对压力的影响相对较小;厚度为0.25 mm,入射角为50°的浇口尺寸为最优;浇口厚度为0.25 mm,入射角为50°时的金线实际偏移量平均值为0.049 mm,金线偏移程度最小;浇口厚度为0.25 mm,入射角为30°时,金线实际偏移平均值为0.072 mm,金线偏移程度最大.
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文献信息
篇名
SSOP-20L塑封浇口参数对金线偏移的影响
来源期刊
半导体技术
学科
工学
关键词
IC封装
金线偏移
浇口参数
数值模拟
观测方法
年,卷(期)
2014,(7)
所属期刊栏目
先进封装技术
研究方向
页码范围
527-531
页数
分类号
TN305.94
字数
语种
中文
DOI
10.13290/j.cnki.bdtjs.2014.07.009
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
安静
上海工程技术大学材料工程学院
7
30
3.0
5.0
2
曹阳根
上海工程技术大学材料工程学院
38
130
7.0
8.0
3
吴恺威
上海工程技术大学材料工程学院
11
16
3.0
3.0
4
杨尚磊
上海工程技术大学材料工程学院
48
161
8.0
10.0
5
吴文云
上海工程技术大学材料工程学院
13
15
3.0
3.0
6
周海贝
上海工程技术大学材料工程学院
3
5
2.0
2.0
7
莫佳敏
上海工程技术大学材料工程学院
1
3
1.0
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二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
IC封装
金线偏移
浇口参数
数值模拟
观测方法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
开本:
大16开
出版地:
石家庄179信箱46分箱
邮发代号:
18-65
创刊时间:
1976
语种:
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
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