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摘要:
采用TSMC 0.18μm CMOS工艺库,设计并验证了一种应用于3.1~10.6 GHz频段的超宽带低噪声放大器.该放大器分为两级:采用跨导增强技术的共栅结构作为输入级,实现了输入阻抗匹配,提高了增益并降低了噪声;第二级是放大输出级,由两个共源放大管和源跟随器缓冲管构成,并采用两级电流复用配置将它们连接在一起,不但对信号进行了二次放大,降低了功耗,而且实现了输出匹配.仿真结果表明,在3.1~10.6 GHz频带范围内,放大器增益为14.8 dB,增益平坦度为±0.6 dB,噪声系数介于2.9~4.5 dB,输入和输出的回波损耗均优于-11 dB,1 dB压缩点为-20.8 dBm,在1.8V电压下,静态功耗仅为8.99 mW.
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文献信息
篇名 3.1~10.6 GHz低功耗超宽带低噪声放大器
来源期刊 微电子学 学科 工学
关键词 低噪声放大器 低功耗 跨导增强 电流复用
年,卷(期) 2014,(6) 所属期刊栏目 电路与系统设计
研究方向 页码范围 737-740,745
页数 分类号 TN722.3
字数 语种 中文
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低噪声放大器
低功耗
跨导增强
电流复用
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
微电子学
双月刊
1004-3365
50-1090/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号24所
1971
chi
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3955
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