一种功率增益可控的全集成CMOS功率放大器

• 作者: 杨海钢 许晓冬 高同强
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS功率放大器 输出增益可变 电容分压
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 336-339,343
• 分类号: TN432
• 语种: 中文

摘要

设计了一种单片全集成、输出功率增益可变的CMOS功率放大器电路.功率放大器电路输出级通过电容分压实现阻抗匹配,输出功率增益通过三位数字控制位实现七级增益控制.该功率放大器基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺设计.测试结果表明,当功率放大器工作在2.4 GHz时,功率增益可以从2.5dB变化到16 dB.当增益为16 dB时,功率叠加效率约为15％,输出1dB功率为8 dBm.整个功率放大器芯片尺寸为1.2 mm×1.2 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨海钢	中国科学院电子学研究所	134	485	10.0	15.0
2	高同强	中国科学院电子学研究所	13	20	2.0	4.0
3	许晓冬	中国科学院电子学研究所	7	7	2.0	2.0