4H-SiC ICP深刻蚀工艺研究

• 作者: 刘雨涛 喻兰芳 崔海波 张瑞 梁庭 熊继军
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: SiC ICP深刻蚀 刻蚀气体 源功率RF1 射频功率RF2 腔室压强
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN212
• 字数: 1406字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2014)10-0008-03

摘要

SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀.采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析.提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义.