射频磁控溅射制备氮化钽薄膜及微结构和电性能研究

• 作者: 巴德纯 张健 赵崇凌 陆涛
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控 TaN薄膜 氮分压 沉积温度 沉积时间
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 975-978
• 分类号: O484|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.08.10

摘要

采用自主研发系统,应用反应射频磁控技术,在氧化铝陶瓷样片上制备了方阻稳定性好的TaN薄膜,研究了氮分压(N2/(N2+ Ar))、沉积温度、沉积时间对TaN膜层结构和电性能的影响,通过X射线衍射、四探针方阻仪器测试了薄膜的微结构和方阻值.结果表明:随氮分压的增大,TaN薄膜的微结构明显变化,同时TaN薄膜的方阻也有显著增大趋势;随着沉积温度的提高,TaN薄膜的方阻有减小趋势,当温度达到400℃时,制备出了方阻小于100Ⅳ口的薄膜;随着沉积时间的加长,TaN薄膜的方阻也出现减小的现象;最后制备出工艺稳定性好的方阻50Ω/□的TaN薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	巴德纯	东北大学机械及自动化学院	250	1491	18.0	22.0
2	张健	东北大学机械及自动化学院	17	69	4.0	7.0
3	赵崇凌	东北大学机械及自动化学院	2	3	1.0	1.0
4	陆涛	东北大学机械及自动化学院	3	3	1.0	1.0