Si衬底上侧向外延生长GaN的研究

• 作者: 全知觉 方芳 曹峻松 汤英文 王立 郑畅达
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 侧向外延过生长 氮化镓 硅 MOCVD
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 569-573
• 分类号: O484.4
• 语种: 中文

摘要

采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究.结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN侧向外延速度较快,有利于合并得到平整的薄膜.同时,研究表明,升高温度和降低生长气压都有利于侧向生长.通过优化生长工艺,在条形Al掩模Si(111)衬底上得到了连续完整的GaN薄膜.原子力显微镜测试显示,窗口区域生长的GaN薄膜位错密度约为1×109/cm2,而侧向生长的GaN薄膜位错密度降低到了5×107/cm2以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王立	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	48	324	10.0	14.0
2	郑畅达	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	9	51	5.0	7.0
3	全知觉	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	5	10	3.0	3.0
4	方芳	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	3	3	1.0	1.0
5	曹峻松	中国科学院半导体研究所北京半导体照明科技促进中心	1	3	1.0	1.0
6	汤英文	南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心	1	3	1.0	1.0