基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片

• 作者: 吴洪江 李明 韩芹 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) 自偏置结构 收发一体多功能芯片 低噪声放大器 单刀双掷(SPDT)开关
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 8-11,62
• 分类号: TN43|TN722.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.01.002

摘要

基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5～ 12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等特点.电路由低噪声放大器和多个单刀双掷(SPDT)开关构成.为了获得较低的噪声系数和较大的增益,低噪声放大器采用自偏置三级级联拓扑结构;为了获得较高的隔离度和较低的插入损耗,SPDT开关采用串并联结构.测试结果表明,在5～ 12 GHz频段内,收发一体多功能芯片的小信号增益大于26 dB,噪声系数小于4 dB,输入/输出电压驻波比小于2.0,1 dB压缩点输出功率大于15 dBm.其中,放大器为单电源5V供电,静态电流小于120 mA;开关控制电压为-5 V/0 V.芯片尺寸为2.65 mm×2.0 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	魏洪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	37	4.0	6.0
3	李明	中国电子科技集团公司第十三研究所	19	37	4.0	5.0
4	韩芹	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	10	2.0	3.0