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Lam Research的先进深硅刻蚀技术
Lam Research的先进深硅刻蚀技术
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摘要：
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利用湿法刻蚀的方式制备黑硅
黑硅材料
湿法刻蚀
表面形貌
光吸收率
激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜
激光印痕靶
自截止腐蚀
离子束刻蚀
ALSI或ALSICU刻蚀后硅渣残留去除方式的研究
半导体生产
金属刻蚀
干法去硅渣
湿法去硅渣
具有先进深冷工艺技术的大型NGL回收装置
中原油田
低温分离
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期刊影响力
电子工业专用设备
主办单位：
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出版周期：
双月刊
ISSN：
1004-4507
CN：
62-1077/TN
开本：
大16开
出版地：
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
邮发代号：
创刊时间：
1971
语种：
chi
出版文献量（篇）
3731
总下载数（次）
31
总被引数（次）
10002
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