3 mm单平衡混频器芯片

• 作者: 刘永强 赵宇 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 3 mm 单平衡混频器 巴伦 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 485-488
• 分类号: TN773
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.07.002

摘要

为满足3 mm收发系统的小型化需求,采用InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,设计并制造了一款3 mm单平衡混频器芯片.该单平衡混频器芯片采用了反向并联肖特基二极管对(APDP)和三线耦合Marchand巴伦结构,在获得精确的肖特基二极管非线性模型和巴伦电磁场S参数模型的基础上,对混频器进行了电路设计.最终获得了良好的工作带宽、变频损耗与隔离度指标,在片测试结果显示,该芯片射频、本振频率为82～100 GHz,变频损耗小于9 dB,本振(LO)-射频(RF)隔离度大于20 dB,中频带宽为0.1～18 GHz,整体芯片尺寸为1.1 mm×1.0 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏洪涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	37	4.0	6.0
2	赵宇	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	28	2.0	5.0
3	刘永强	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	30	3.0	5.0