Ti(20 nm)/Al(30 nm)/P型4H-SiC LDMOSFET欧姆接触的改善

• 作者: 万彩萍 刘新宇 刘金彪 张静 李俊峰 杨霏 裴紫微 许恒宇 金智 陈晨
• 来源期刊: 智能电网(汉斯)
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-SIC 传输线方法 欧姆接触
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 300-307
• 页数: 8页
• 分类号: TN3

摘要

碳化硅横向双扩散金属-氧化物-半导体晶体管(Silicon Carbide laterally diffused Metal-Oxide-Semi- conductor Field Effect Transistor, SiC LDMOSFET)在高压集成电路中有着越来越广泛的应用前景。目前为止,依旧存在着限制SiC LDMOSFET器件进一步发展的瓶颈,欧姆接触便是其中之一。对于p型碳化硅,金属铝被认为是有利于形成欧姆接触的材料,但厚度较厚。研究表明,钛的加入能减小接触电阻,提高热稳定性。主要研究了一种新组分的钛/铝薄层金属用于p型4H-SiC的欧姆接触。通过溅射台将Ti(20 nm)/Al(30 nm)金属电极先后溅射到掺杂浓度为1 ×1020 cm?3的p型4H-SiC上,然后在氩气氛围中快速热退火(退火温度为1000℃,时间为2.5 min)形成欧姆接触。用传输线方法测量比接触电阻。最终得到比接触电阻值的优值为5.71 ×10?4 Ω?cm2,比预期结果的比接触电阻值降低了一个量级。此结果对Ti/Al基p型SiC LDMOSFET的进一步研究有着积极的意义。