掺C高阻GaN的MOCVD外延生长

• 作者: 张宝顺 朱启发 王凯 范亚明 邓旭光 邢艳辉 钟林健 韩军
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 材料 C掺杂 高阻 半绝缘 金属有机物化学气相沉积 GaN薄膜
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料
• 页码范围: 174-178
• 页数: 5页
• 分类号: TN386|O782.9
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL201542.0406002

摘要

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C薄膜.为得到高阻(或半绝缘)的GaN薄膜,研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD外延GaN薄膜电学性能的影响,发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN影响很大.当GaN缓冲层采用N2作为载气,CCl4的流量为0.016 μmol/min时成功实现了GaN的高阻生长,样品A2的方块电阻高达2.8×107 Ω/sq.经原子力显微镜(AFM)测试显示,样品的表面形貌较好,粗糙度均在0.3 nm附近,说明C掺杂对外延GaN薄膜的表面形貌没有大的影响.低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关.