硅量子点的表面改性技术

• 作者: 张宇恒 皮孝东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅量子点 表面改性 光致发光 氢化硅烷化 发光效率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 401-410
• 分类号: TN304.12
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.06.001

摘要

硅量子点具有新颖的光电性能,有望在光电、光伏和生物标记等领域发挥重要作用.为了使硅量子点表现出优异而稳定的光电性能,能够有效地被应用,通常需要对硅量子点的表面进行改性.针对表面起初被氢或氯钝化的硅量子点,详细地介绍了最近国内外在硅量子点表面改性方面的研究进展,重点介绍了表面改性技术对硅量子点的分散和发光等性能的影响,分析讨论了最具代表性的表面改性技术——氢化硅烷化的机理以及其对硅量子点性能的影响,提出了今后发展硅量子点表面改性技术的方向和应该注意的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	皮孝东	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	11	11	3.0	3.0
2	张宇恒	浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室	2	0	0.0	0.0