面向高速应用的GaN基HEMT器件

• 作者: 李明月
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 基HEMT 高速应用 载流子限域性 电子速度 导通电阻
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 1-6,25
• 页数: 7页
• 分类号: TN721
• 字数: 2314字
• 语种: 中文

摘要

工作在毫米波、亚毫米波频段的固态功率放大器可广泛应用于无线通信、汽车雷达等电子系统。氮化物材料具备禁带宽度大、电子速度高等特点，使得GaN 基HEM T 器件成为面向高频器件和高速数字电路等高速应用的理想候选器件。但是为实现更佳的器件指标，仍需要进行多层次的设计和优化。重点讨论了面向高速应用的GaN 基器件所面临的挑战，如载流子限域性、电子速度以及在等比例缩小规律下的导通电阻等问题。分析表明，这些问题的解决将使GaN 基器件在高速、高频等领域得到广泛应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李明月	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	46	2.0	6.0