封装键合点对IGBT UIS失效的影响研究

• 作者: 徐弘毅 李琦 盛况 谢刚 郭清 金锐
• 来源期刊: 机电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极型晶体管 UIS 失效分析
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 电工技术
• 页码范围: 707-711
• 页数: 5页
• 分类号: TM7|TN3
• 字数: 3799字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4551.2015.05.024

摘要

为了解决绝缘栅双极型晶体管在实际应用当中的典型关断失效问题,对其在电感无钳位开关条件下的电压应力、电流应力、雪崩能力以及失效模式进行了研究.基于电感无钳位开关测试电路,着重探讨了UIS条件下IGBT的击穿机理.封装打线时将铝线分别键合于多个IGBT芯片发射极的不同部位,并基于自主搭建的测试平台,对该批初步封装的IGBT芯片进行了电感无钳位开关条件下的应力测试.最后提出了封装改进建议,避免封装键合点对于IGBT UIS失效的影响.实验结果表明:封装焊线在IGBT发射极金属所引入的横向电阻会导致IGBT芯片的并联元胞等效电阻不均匀,并使电流更易集中于封装键合点附近,最终导致IG-BT芯片在UIS条件下的失效点均位于铝线键合点附近.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李琦	浙江大学电气工程学院	17	119	7.0	10.0
2	徐弘毅	浙江大学电气工程学院	2	3	1.0	1.0
3	金锐	国家电网智能电网研究院电工新材料与微电子研究所	1	3	1.0	1.0
4	谢刚	浙江大学电气工程学院	24	544	12.0	23.0
5	郭清	浙江大学电气工程学院	14	274	4.0	14.0
6	盛况	浙江大学电气工程学院	28	745	8.0	27.0