ALD沉积HfO2薄膜生长行为及其调控

• 作者: 徐可为 聂祥龙 马大衍
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 高介电质薄膜 HfO2 原子层沉积 生长行为
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 材料工艺
• 页码范围: 2907-2912
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1|TN304|O484
• 语种: 中文

摘要

采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐可为		238	3333	30.0	44.0
2	马大衍		26	168	8.0	12.0
3	聂祥龙		3	0	0.0	0.0