导电SrTiO3上脉冲激光沉积非晶HfO2薄膜的漏电机理分析

• 作者: 何鹏 周瑶 幸代鹏 张万里 曾慧中
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 脉冲激光沉积 非晶薄膜 SrTiO3表面导电层 HfO2栅介质 I-V特性 漏电机制
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 30-35
• 页数: 6页
• 分类号: O487
• 字数: 3899字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.08.006

摘要

利用脉冲激光沉积技术在SrTiO3表面导电层上方制备非晶HfO2栅介质薄膜,通过磁控溅射技术在非晶HfO2栅介质薄膜上方制备直径为100μm的圆形Pt电极,研究了变温条件下Pt/HfO2/SrTiO3的漏电流I-V特性,分析了非晶HfO2栅介质层的漏电机制,如空间电荷限制电流机制、Fowler-Nordheim导电机制、Pool-Frenkel发射机制、 肖特基发射机制.研究结果表明在低压段(<0.18 V)为欧姆导电;在高压段(>0.5 V)为Pool-Frenkel发射机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	曾慧中	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	50	4.0	6.0
3	周瑶	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	1	1.0	1.0
4	何鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	1	1.0	1.0
5	幸代鹏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	1	1.0	1.0