薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响

• 作者: 叶志镇 吕建国 张哲浩 江庆军
• 来源期刊: 材料科学与工程学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO∶Ga薄膜 应力 基片曲率法 直流磁控溅射 有机衬底
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 348-352,366
• 分类号: TB34|TB43
• 语种: 中文
• DOI: 10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2016.03.002

摘要

在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜.通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力.提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力.研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放.而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸.研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力.结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕建国	硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0
2	江庆军	硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0
3	叶志镇	硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院	1	5	1.0	1.0