反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化

• 作者: 李芸 杨治美 王靖宇 邓春纲 马瑶 龚敏
• 来源期刊: 光散射学报
• 学科: 工学
• 关键词: 立方碳化硅 异质外延 晶格失配 工艺优化 残余应力
• 年，卷（期）: 2017,（4）
• 所属期刊栏目: 其它光谱技术及应用
• 页码范围: 376-380
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2830字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13883/j.issn1004-5929.201704016

摘要

本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si(111)衬底反应,制备3C-SiC薄膜.通过X射线衍射分析仪、激光拉曼光谱仪和场发射扫描电子显微镜进行测试和分析.在该方法中,反应恒温1200℃为最优温度,反应温度过高或过低都不利于3C-SiC薄膜生长;在反应温度为1200℃时,为增加薄膜厚度而单纯增加反应时长,缺陷浓度也会相应地增加,从而薄膜结晶质量相应降低;但在1250℃反应温度时,增加反应时长不仅会增加薄膜的厚度,而且也会缓减薄膜中残余应力,同时改善薄膜的结晶质量.另外研究结果还表明:1250℃时经过一个恒温的等时退火工艺后,再降温的方式可进一步降低薄膜中本征残余应力,从而改善薄膜的结晶质量和晶格失配.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李芸	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	52	462	13.0	20.0
2	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
3	杨治美	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	11	32	3.0	5.0
4	王靖宇	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	2	1	1.0	1.0
5	马瑶	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	15	31	3.0	5.0
6	邓春纲	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	1	0	0.0	0.0