制备工艺对ITO薄膜的光电特性影响研究

• 作者: 王宇 肖和平 郭冠军
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 制备工艺 微结构 光电特性 沉积速率 氧空位
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器材
• 页码范围: 85-90
• 页数: 6页
• 分类号: O434
• 字数: 4113字
• 语种: 中文

摘要

应用电子束在真空条件下沉积氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)薄膜,研究不同生长条件(温度、速率、厚度及氧气流量)对ITO薄膜光电特性的影响,结果表明ITO薄膜表面微结构随着沉积温度上升逐渐变得平整,晶体结构强烈地依赖于ITO薄膜生长过程的沉积速率,氧气流量会影响ITO薄膜晶体结构的完整性,氧空位会引起晶体结构变化造成薄膜光电特性差异,适中的沉积速率会得到致密性较好的ITO薄膜,通过实验研究,为LED生产ITO薄膜工艺提供一定的技术依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖和平		11	11	3.0	3.0
2	王宇		3	8	2.0	2.0
3	郭冠军		3	8	2.0	2.0