ITO薄膜的制备及其光电特性研究

• 作者: 林钰 辛荣生
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 ITO膜 磁控溅射 电阻率 透光率
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 39-41
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2005.09.013

摘要

采用直流磁控溅射法,分别用ITO陶瓷靶、In-Sn合金靶,在玻璃基片上镀膜.研究ITO透明导电膜其膜厚、靶材、溅射气压和溅射速率等工艺对光电特性的影响.结果表明,采用陶瓷靶镀膜要比合金靶效果好,膜厚70 nm以上、溅射气压0.45 Pa和溅射速率23 nm/min 左右为最佳工艺条件,并得到了ITO薄膜电阻率1.8×10-4Ω·cm、可见光透过率80%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林钰	河南教育学院化学系	34	267	9.0	15.0
2	辛荣生	郑州大学材料科学与工程学院	27	246	9.0	14.0