一种SiGe BiCMOS3级级联60GHz LNA

• 作者: 杨正琳 杨皓 王巍 胡凤 袁军 鲍孝圆 黄孟佳
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 低噪声放大器 噪声系数 60 GHz
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 电路与系统设计
• 页码范围: 168-171
• 页数: 4页
• 分类号: TN433
• 语种: 中文

摘要

基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种高增益单端3级级联60 GHz低噪声放大器.级间匹配采用LC谐振,以减小传输损耗,引入的级间电感L与上级输出寄生电容、下级输入寄生电容谐振,以减小寄生效应的影响.在3.3V供电电压下,60 GHz频率处的功率增益S21达到21.8 dB,噪声系数NF为6.1 dB;在58～65 GHz频段内,输入和输出反射系数S11和S2均小于-10 dB.