面向射频微系统应用的圆片-芯片集成工艺技术研究

• 作者: 刘鹏飞 张斌 张洪泽 戈勤
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 圆片-芯片 射频微系统 异构集成 共晶合金 Au-Sn键合 剪切强度
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 82-87
• 页数: 6页
• 分类号: TN406
• 字数: 3509字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.03.016

摘要

利用Au-Sn共晶合金反应实现硅基圆片-芯片(Die to Wafer)键合是一种可行的集成方案,通过优化关键实验条件改善圆片-芯片键合层质量及键合强度,探索出适合射频微系统应用的D2W集成工艺条件;使用扫描电子显微镜(SEM)观察各组圆片-芯片界面质量状态,分析其键合层元素组成;在常温及300 ℃高温下完成水平推力测试,分析了键合样片键合强度和耐高温水平.结果表明:键合压力、Sn浸润时间、Au-Sn共晶合金温度及时间、芯片键合前处理等条件对键合层质量影响较大;对芯片进行前处理,使用少量助焊剂,240 ℃浸润2 min,并在温度为290 ℃、压力为4 N的条件下键合6 min,可以得到具备良好键合层质量的键合样片,水平推力达到55 N.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张斌		25	123	7.0	10.0
2	刘鹏飞		2	1	1.0	1.0
3	张洪泽		2	1	1.0	1.0
4	戈勤		2	0	0.0	0.0