忆阻器集成应用的研究进展

• 作者: 李建昌 陈博 马佳杰
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 阻变 交叉阵列 人工神经网络 突触
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 71-85
• 页数: 15页
• 分类号: TB43
• 字数: 12840字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2018.05.15

摘要

忆阻器因其独特的电学特性,在阻变存储、人工神经网络和电路中有着良好的应用前景.交叉阵列在二维集成中被广泛采用,三维集成可分为堆叠交叉阵列和垂直交叉阵列.本文对比讨论了两种三维结构,分析了提高集成密度的方法;总结了不同阻变机理、窗函数、电路结构下的忆阻器模型,给出了相应的I-V曲线;解释了忆阻器的生物突触行为,介绍了忆阻器在人工神经网络和电路上的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李建昌	东北大学真空与流体工程研究所	42	214	9.0	13.0
2	马佳杰	东北大学真空与流体工程研究所	2	1	1.0	1.0
3	陈博	东北大学真空与流体工程研究所	3	1	1.0	1.0