一种降低电路泄漏功耗的多阈值电压方法

• 作者: 丁力 吴清焐 张姚 易茂祥 梁华国 王可可
• 来源期刊: 微电子学
• 学科: 工学
• 关键词: 负偏置温度不稳定性 泄漏功耗 多阈值电压
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 产品与可靠性
• 页码范围: 839-845
• 页数: 7页
• 分类号: TN406|TN47
• 语种: 中文
• DOI: 10.13911/j.cnki.1004-3365.180018

摘要

目前,多阈值电压方法是缓解电路泄漏功耗的有效手段之一.但是,该方法会加重负偏置温度不稳定性(NBTI)效应,导致老化效应加剧,引起时序违规.通过找到电路的潜在关键路径集合,运用协同优化算法,将关键路径集合上的门替换为低阈值电压类型,实现了一种考虑功耗约束的多阈值电压方法.基于45 nm工艺模型及ISCAS85基准电路的仿真结果表明,在一定功耗约束下,该方法的时延改善率最高可达12.97％,明显优于常规多阈值电压方法.电路的规模越大,抗泄漏功耗的效果越好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁华国	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	192	1611	19.0	30.0
2	易茂祥	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	109	559	12.0	19.0
3	吴清焐	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	1	1.0	1.0
4	丁力	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	8	1	1.0	1.0
5	张姚	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	4	7	2.0	2.0
6	王可可	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	5	1	1.0	1.0