阻挡层抛光液中助溶剂和H2O2对铜残留缺陷的影响

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 张凯 胡轶
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 铜残留 缺陷 碟形坑 蚀坑
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 852-857
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2018.11.009

摘要

针对化学机械抛光(CMP)过程中的铜残留缺陷问题,研究了一种在FA/O阻挡层抛光液中添加助溶剂和H2O2的新型阻挡层抛光液.分别考察助溶剂和H2O2对SiO2介质和铜去除速率的影响以及对碟形坑和蚀坑的修正能力,通过扫描电子显微镜(SEM)观察铜残留缺陷的情况.结果显示,在FA/O阻挡层抛光液中加入1.5 g/L助溶剂和体积分数0.05％H2O2对SiO2和铜的去除速率选择比最优,为1.96.同时,添加了助溶剂和H2O2的FA/O阻挡层抛光液对碟形坑修正的能力为48.2 nm,对蚀坑修正的能力为38.9 nm,修正能力非常强.铜布线片阻挡层抛光后,碟形坑深度为4.7 nm,蚀坑深度为19.9 nm,将碟形坑和蚀坑的深度降到较小的范围.SEM检测结果表明,铜残留较少,表面形貌较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	何彦刚	河北工业大学微电子研究所	21	142	6.0	11.0
3	张凯	河北工业大学微电子研究所	14	65	3.0	8.0
4	胡轶	新疆师范大学化学化工学院	10	11	2.0	2.0